PMBT3904QA - 40 V, 200 mA NPN switching transistor - 艾金森 Dratk PQMD12 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1?=?47?kΩ,?R2?=?47?kΩ - 艾金森 Dratk PZU6.2B2 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PBSS5320D - 20 V low VCEsat PNP transistor - 艾金森 Dratk PZU5.1B1A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PMBT3904VS - 40 V, 200 mA NPN/NPN switching transistor - 艾金森 Dratk PBSS5320T - 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PZU5.1B2A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PQMD13 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1?=?4.7?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PZU6.2B3 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PMBT3906 - PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PQMD16 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1?=?22?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PZU6.8B - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PZU5.1B2L - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PBSS5320X - 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PMBT3906M - 40 V, 200 mA PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PZU6.8B1 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PQMH2 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?47?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PBSS5330PA - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PZU5.1B3A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PMBT3906MB - 40 V, 200 mA PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PZU6.8B2 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PBSS5330PAS - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PQMH9 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?10?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PZU5.1BA - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PMBT3906VS - 40 V, 200 mA PNP/PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PZU6.8B3 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PBSS5330X - 30 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PQMH10 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?2.2?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PZU7.5B - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PZU5.1BL - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PMBT3946VPN - 40 V, 200 mA NPN/PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PBSS5350D - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PZU5.6B1A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PQMH11 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?10?k?,?R2?=?10?k? - 艾金森 Dratk PZU7.5B1 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PMBT4401 - NPN switching transistor - 艾金森 Dratk PZU5.6B2A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PBSS5350T - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PQMH13 - NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1?=?4.7?k?,?R2?=?47?k? - 艾金森 Dratk PZU7.5B2 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PMBT4401YS - 40 V, 600 mA, double NPN switching transistor - 艾金森 Dratk PBSS5350TH - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PRMB11 - 50 V, 100 mA PNP/PNP Resistor-Equipped double Transistors (RET) - 艾金森 Dratk PZU5.6B2L - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk PZU7.5B3 - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PMBT4403 - 40 V, 600 mA, PNP switching transistor - 艾金森 Dratk PZU8.2B - Single Zener diodes in a SOD323F package - 艾金森 Dratk PBSS5350X - 50 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor - 艾金森 Dratk PZU5.6B3A - Single Zener diodes - 艾金森 Dratk








AD522是一款精密IC仪表放大器,针对要求在最差工作条件下提供高精度的数据采集应用而设计。高线性度、高共模抑制、低电压漂移与低噪声等特性的出色组合,使该器件适合用于许多12位数据采集系统中。 在过程控制、仪器仪表、数据处理和医疗测试等应用中,通常采用仪表放大器作为电阻传感器(热敏电阻、应变计等)的电桥放大器。工作环境通常信噪比低、温度起伏不定、输入阻抗不平衡,并且处于远程位置不便重新校准。
AD524是一款精密单芯片仪表放大器,针对要求在最差工作条件下提供高精度的数据采集应用而设计。高线性度、高共模抑制、低失调电压漂移与低噪声等特性的出色组合,使该器件适合用于许多数据采集系统中。 AD524的输出失调电压漂移小于25 μV/°C,输入失调电压漂移小于0.5 μV/°C,单位增益时的共模抑制(CMR)高于90 dB(G = 1000时为120 dB),最大非线性度为0.003% (
AMP01是一款单芯片仪表放大器,针对高精度数据采集和仪表应用而设计。其设计有机地结合了仪表放大器的常规功能与高电流输出级。在高电容负载(1 μF)下,输出仍保持稳定,这是仪表放大器一种独特的能力。由此,AMP01可以放大低电平信号,通过较长的电缆而无需输出缓冲。输出级可以配置为电压或电流发生器。 输入失调电压极低(20 μV),从而消除了外部零值电位计的必要。温度变化对失调的影响有限;TCVI
AD624是一款高精度、低噪声仪表放大器,主要设计用于低电平传感器,包括负荷传感器、应变计和压力传感器。它融低噪声、高增益精度、低增益温度系数和高线性度于一体,适合用于高分辨率数据采集系统。 AD624C的输入失调电压漂移小于0.25 µV/°C,输出失调电压漂移小于10 µV/°C,单位增益时的共模抑制比(CMRR)高于80 dB(G = 500时为1
AD625是一款精密仪表放大器,专为满足两类主要应用要求而设计:1) 要求非标准增益(即不能利用AD524和AD624等器件轻松实现的增益)的电路;2) 要求低成本、精密软件可编程增益放大器的电路。 AD625JN具有低噪声、高共模抑制比(CMRR)和低漂移特性,是一种成本效益最高的仪表放大器解决方案。用户再加三个电阻就可以设置从1至10000的任何增益。AD625JN的增益误差小于0.05%,
AD526是一款单端、单芯片软件可编程增益放大器(SPGA),提供1、2、4、8、16五种增益。它是一款完整的解决方案,配有放大器、电阻网络和TTL兼容型锁存输入,无需外部器件。 低增益误差和低非线性度使AD526非常适合要求可编程增益的精密仪器应用。增益为16时,小信号带宽为350 kHz。此外,该器件具有出色的直流精度。FET输入级使得偏置电流低至50 pA。利用ADI的激光调整技术,
LT®1101 建立了以下的里程碑:(1) 它是首款微功率仪表放大器,(2) 它是首款单电源仪表放大器,(3) 它是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装并具有 10 和 / 或 100 固定增益的仪表放大器。 LT1101 是完全独立的:无需外部增益设定电阻器。LT1101 将其微功率操作 (75μA 电源电流) 与 0.008% 增益误差、3ppm 增益线
AMP-02是采用8引脚封装的首款精密仪表放大器。其增益由一个外部电阻设定,范围为1至10,000。单位增益无需增益设定电阻。AMP-02含有一个输入保护网络,输入可以超过供电轨60V而不损坏器件。 激光调整使输入失调电压降至100 μV以下。增益为1000时,输出失调电压低于4 mV,增益精度高于0.5%。PMI的专利薄膜电阻工艺使增益温度系数低于50 ppm/°C。 受设计影响,在较宽的增益范
LTC®1100 是一款高精度仪表放大器,其采用零漂移技术以实现出色的 DC 性能。输入 DC 失调通常为 1μV,而 DC 失调漂移则一般为 5nV/°C;另外,还实现了非常低的 65pA 偏置电流。 LTC1100 是独立型器件;即是它在未使用任何外部增益设定电阻器或微调电阻器的情况下实现了数值为 100 的差分增益。增益线性度为 20ppm,增益漂
LT®1102 是首款采用低成本、节省空间型 8 引脚封装的快速 FET 输入仪表放大器。该器件提供了 10 和 100 的固定增益以及超卓的增益准确度 (0.01%) 和非线性度 (3ppm)。无需外部增益设定电阻器。 与同类竞争的高速仪表放大器相比,转换速率、稳定时间、增益-带宽乘积、过驱动恢复时间均有所改善。 业界最佳的速度性能
AD620是一款低成本、高精度仪表放大器,仅需要一个外部电阻来设置增益,增益范围为1至10,000。此外,AD620采用8引脚SOIC和DIP封装,尺寸小于分立电路设计,并且功耗更低(最大电源电流仅1.3 mA),因而非常适合电池供电及便携式(或远程)应用。 AD620具有高精度(最大非线性度40 ppm)、低失调电压(最大50 μV)和低失调漂移(最大0.6 μV/°C)特性,是电子秤和传感器接
AD621是一款易于使用、低成本、低功耗、高精度仪表放大器,适合众多应用领域。它融高性能、小尺寸和低功耗于一体,优于分立式运放设计。 利用内部增益设置电阻,可实现高效能、低增益误差和低增益漂移误差。通过外部引脚搭接则可轻松设置固定增益10和100。AD621按总体系统规定全部特性,因而可以简化设计过程。 AD621的电源电流非常低,最大仅为1.3 mA,并且采用紧凑型8引脚SOIC、8引脚塑料
AMP04是一款单电源仪表放大器,工作电源电压范围为+5 V至±15 V。它实现了高精度、低功耗、宽输入电压范围和出色增益性能的完美组合。 该器件通过一个外部电阻设置增益,增益范围为1至1000。输入共模电压范围允许AMP04以最高精度处理地电压至正电源1 V范围内的信号。输出摆幅可以达到正电源的1 V范围内。增益带宽超过700 kHz。AMP04不仅易于使用,而且电源电流仅700 μA。 对
AD622是一款低成本、采用传统引脚配置的较精密仪表放大器,仅需要一个外部电阻来设置2与1000之间的任意增益。对于增益为1的情况,则不需任何外部电阻。AD622是一个全差分或减法器放大器系统,同时通过集成精密激光调整电阻提供出色的线性和共模抑制。 AD622可以取代低成本、分立的两运放或三运放仪表放大器设计,并提供良好的共模抑制、出色的线性、温度稳定性、可靠性以及低功耗和较少的电路板面积。AD
AD623是一款集成式单电源或双电源仪表放大器,采用3 V至12 V电源电压时提供轨到轨输出摆幅。它可以通过单一增益设置电阻进行编程,并遵照8引脚工业标准引脚排列配置,赋予用户出众的灵活性。不接外部电阻时,AD623采用单位增益配置(G = 1);连接外部电阻时,AD623可通过编程实现最高增益1000。 提高交流共模抑制比(CMRR)并增加增益可使AD623具有出色的精度;由于CMRR在最高20





仪表放大器